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シリコンウェーハの切断は主に半導体、オプトエレクトロニクス、太陽エネルギーの分野で使用されており、チップやオプトエレクトロニクス部品を製造するための重要なプロセスの1つです。
あらゆるインチのシリコンウェーハダイスから小さなピースまで提供できます。
半導体分野では、シリコンウェーハの切断はチップ製造に必要なプロセスですが、オプトエレクトロニクスと太陽エネルギーの場合、シリコンウェーハの切断はオプトエレクトロニクスチップとソーラーパネルの製造における重要なステップです。シリコンウェーハは切断することでさまざまな形状やサイズのチップやデバイスに加工され、携帯電話、パソコン、タブレットなどの電子製品をはじめ、光学、医療、航空などの多くの分野で幅広く使用されています。
現在、シリコンウェーハの主な切断方法は以下のとおりです。
1. 機械的切断:ダイヤモンドカッティングディスクを使用してシリコンウェーハを切断すると、非常に真っ直ぐに切断できますが、切断速度が遅く、破片が発生しやすいです。
2. レーザー切断: レーザービームを使用してシリコンウェーハを切断するのは非常に速いですが、高価な機器と熟練した技術的操作が必要であり、発生する粉塵は機器に損傷を与える可能性があります。
3. イオン ビーム切断: イオン ビームを使用してシリコン ウェーハを切断するのは速いですが、高価な設備とプロセスが必要であり、シリコン ウェーハの表面に特定の残留物が残ります。
4. 板金切断:切削工具を使用してシリコンウェーハを分割します。厚いシリコンウェーハに適していますが、切断が不均一で切断速度が遅くなります。
当社在庫の一部
商品番号 | 材料 | 直径 | 表面 | タイプ | 向き | 厚さ | 抵抗率 | サイズ |
HC156 | シリコンウェーハ | 3インチ | SSP | P | 110 | 380±10μm | 0.08-0.1オーム・センチメートル | 10*10mm |
HC310 | シリコンウェーハ | 5インチ | SSP | P | 100 | 525±15μm | 5-12オーム・センチメートル | 10*10mm |
HC732 | シリコンウェーハ | 6インチ | SSP | P | 100 | 675±15μm | >10000Ω・cm | 10*10mm |
HC594 | シリコンウェーハ | 6インチ | SSP | N | 100 | 625±15μm | 2000-10000オーム・センチメートル | 10*10mm |
HC289 | シリコンウェーハ | 8インチ | SSP | P | 100 | 670±15μm | 2-100オーム・センチメートル | 10*10mm |
HC235 | シリコンウェーハ | 4インチ | SSP | N | 111 | 525±15μm | 0-100オーム・センチメートル | 3*3mm |
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