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炭化ケイ素ウェーハ

炭化ケイ素基板ウエハ

4inch SiC Wafer

炭化ケイ素基板ウエハ

炭化ケイ素は、高いエネルギーギャップ、高い熱伝導率、高い電子飽和ドリフト率などの優れた物性を備えた第 3 世代の半導体材料です。高温、高出力、高圧、高周波および電気自動車、通信、エネルギー、産業などの他の分野での幅広い応用の見通しを持っています。

  • 商品番号 :

    011
  • 注文(MOQ) :

    1
  • 支払い :

    100%Prepay
  • 製品の起源 :

    China

炭化ケイ素基板ウエハ

 
ポリタイプ4H-SiC6H-SiC
直径2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ
厚さ330±25μm330±25μm
導電率N-タイプ/半絶縁N-タイプ/半絶縁
オリエンテーション軸上 <0001>軸上 <0001>
 軸外 <0001> オフ 4°軸外 <0001> オフ 4°
抵抗率0.015~0.03Ω・cm0.02~0.1Ω・cm
 (4H-N)(6H-N)
マイクロパイプ密度(MPD)≦10/cm2 ~ ≦1/cm2≦10/cm2 ~ ≦1/cm2
TTV15μm以下15μm以下
ボウ/ワープ≤25μm≤25μm
表面DSP/SSPDSP/SSP
学年生産/研究グレード生産/研究グレード
格子パラメータa=3.076A、c=10.053Aa=3.073A、c=15.117A
例/eV(バンドギャップ)3.27eV3.02eV
ε(誘電率)9.69.66
屈折率n0 =2.719 ne =2.777n0 =2.707、ne =2.755
注: カスタマイズされた製品を提供できます。お問い合わせください。

 

 

応用:

1、パワーエレクトロニクスデバイス:炭化ケイ素ウェーハは高電圧に耐え、高温で動作する能力を備えているため、パワーエレクトロニクスデバイスの分野で広く使用されています。

2、光電子デバイス: 炭化ケイ素チップは、照明、ディスプレイ、通信などの分野で使用される高輝度 LED (発光ダイオード) に加工できます。さらに、炭化ケイ素ウェーハは、光電変換効率が高く、寿命が長い太陽電池の製造にも使用できます。

3、赤外線検出器:炭化ケイ素ウェーハは赤外線に対する感度が高いため、赤色検出器の分野で広く使用されています。

4、自動車エレクトロニクス:炭化ケイ素ウェーハの高温作業能力と高圧耐性は、自動車エレクトロニクス分野において理想的な材料です。

 

よくある質問:

1: 最小注文数量はいくらですか?

在庫がありますので、必要な数量をお知らせください。在庫の数量を確認させていただきます。在庫がない場合は、当社が保有する材料に基づいて発送させていただきます。

2:制作時間はどれくらいですか?

在庫がある場合、リードタイムは約2〜3週間です。生産が必要な場合は、数量に基づいてリードタイムを議論する必要があります。

3:支払い方法は何ですか?

他の方法が必要な場合は、通常 TT でご相談ください。

 

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