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ゲルマニウムウエハー

VGF LECによる半導体ゲルマニウムウェーハの成長

2inch Germanium Wafer

VGF LECによる半導体ゲルマニウムウェーハの成長

ゲルマニウムは、電子移動度が高く、バンドギャップが小さい重要な半導体材料です。このため、ゲルマニウムはエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの分野で広く使用されています。たとえば、ゲルマニウムは、ダイオード、トランジスタ、太陽電池などのデバイスの製造に使用できます。

ゲルマニウムウェーハ、Ge単結晶を提供できます。お気軽にお問い合わせください。

  • 商品番号 :

    012
  • 注文(MOQ) :

    1
  • 支払い :

    100% Prepay

VGF LECによる半導体ゲルマニウムウェーハの成長

成長方法VGF  
直径2インチ~6インチ  
オリエンテーション (100)、(111)  
種類/ドーパントアンドーパントN/SbP/Ga
抵抗率>30オーム・センチメートル>0.005オーム・センチメートル0.005~0.04オーム・センチメートル
EPD(cm2)<3000<3000<3000
厚さ175um、200um、400um、500um、625um、
あなたの要求として他の厚さ
  
TTV<10um  
<25um  
ワープ<25um  
表面:SSP/DSP  
パッケージカセット/個包装   
注: カスタマイズされた製品を提供できます。お問い合わせください。  

 

応用:

ゲルマニウムは、赤外線の屈折率が高く、分散率が低く、機械的特性に優れた希少金属です。半導体、航空宇宙計測と制御、核物理検出、光ファイバー通信、赤外線オプトエレクトロニクス、太陽電池、化学触媒、生物医学、その他の分野において広範かつ重要な用途があります。

よくある質問:

1: 最小注文数量はいくらですか?

当社には在庫がありますので、必要な数量をお知らせください。在庫の数量を確認させていただきます。在庫がない場合は、当社が保有する材料に基づいて発送させていただきます。

2:制作時間はどれくらいですか?

在庫がある場合、リードタイムは約2〜3週間です。生産が必要な場合は、数量に基づいてリードタイムを議論する必要があります。

3:支払い方法は何ですか?

他の方法が必要な場合は、通常 TT でご相談ください。

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