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炭化ケイ素は第 3 世代の半導体材料であり、シリコン材料と比較して、バンドギャップ幅が広く、耐電界が高く、飽和電子ドリフト速度が高く、熱伝導率が高く、耐放射線性が高いという特徴を持っています。高温・高電圧・高周波製品の製造に適しています。 、高出力デバイス。現在、太陽光発電から新エネルギー自動車に至るまで、炭化ケイ素に対する下流市場の需要は旺盛です。特に電気自動車や新エネルギーの需要が拡大し続ける中、SiC材料の需要は爆発的な成長傾向を示しています。国産炭化ケイ素は工業化から商品化へ加速しています。産業チェーンの観点から見ると、SiC 産業チェーンは比較的長く、基板、エピタキシー、デバイス設計、デバイス製造、パッケージング、テストなどの一連のリンクが含まれています。各リンクには強力な専門性が必要であり、高度な技術と資本投資も必要です。