HC Waferはシリコンウェーハサプライヤーです。FZシリコンウェーハを提供できます。 CZウェーファー、 テストウエハ、ダミーウエハ、研磨ウエハ、エッチングウエハ。

2インチ、3インチ、4インチ、6インチのSIC基板を提供できます。炭化ケイ素（SiC）は、優れた性能を備えた新しい化合物半導体材料です。炭化珪素半導体は、大きなバンドギャップ幅（シリコンの約3倍）、高い臨界電界強度（シリコンの約10倍）、高い熱伝導率（シリコンの約3倍）などの優れた特性を持っています。これらは、高温、高周波、高出力のパワーエレクトロニクス デバイス (パワー チップ) を製造するための理想的な半導体材料です。

Hcウェーハ供給 溶融石英、水晶、サファイア基板。

Hcウェーハ供給Geゲルマニウムウェーハ。 サイズ：2～6インチ、他のサイズもカスタマイズ可能です。 結晶方位：100/111、オフ4°、6°、9°など 導電型：N型、P型、アンドープ高抵抗。